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[设备介绍] 氟化氢气态刻蚀机

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发表于 2014-2-7 09:59:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
氟化氢气态刻蚀机
20140123030429clip_image002.gif                  
编号:memsstar (SN201205107)                 
工艺类别:刻蚀                 
所属单位:加工平台                 
状态:检修                 
价格:100/30分钟                 
单位预约时间:30(单位:分钟)                 
用途                 
Vapor HF设备适用于150mm及以下尺寸晶片上SiO2牺牲层的腐蚀,其特点是纯气态腐蚀,无湿法腐蚀过程产生的“粘连”效应,并且对Al等金属具有高选择性。                 
主要技术指标                 
(1)腐蚀SiO2:Undoped,Thermal,PECVD,LPCVD;
(2)温度:20℃;
(3)腐蚀速率:200nm/min(表面垂直方向),or 50~100nm/min(槽底水平方向)。

点评

海!外直播 t.cn/RxlBL8F 禁闻视频 t.cn/RxBCc6t 一男子带11罐奶粉过关被抓。网友评论不少:带白粉被抓的见过不少,但是带奶粉被抓还真没见识过。郑渊洁:卖坏奶粉的不坐牢,买好奶粉的坐牢,童话故事都不敢这么写..  发表于 2018-10-27 10:35
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发表于 2016-8-29 11:40:59 | 显示全部楼层
xiaochuner 发表于 2016-8-26 16:23
请问有没有什么方法在我们进行HF刻蚀之后不再进行甩胶之类的操作?因为担心再甩胶的话会把我们的结构给破 ...

具体方法因结构不同会有差异。关键一点是,该设备应该也属于各项同性刻蚀,不需要刻蚀的区域最好完全掩盖住,仅仅在表面覆盖一层保护层,再刻开后无法起到阻止侧向刻蚀的作用。保险的方式是多次光刻刻蚀(比如沉积SiO2后光刻并刻蚀部分区域;然后沉积SiNx光刻并刻蚀,使不刻蚀SiO2的区域完全被SiNx覆盖,包括侧面,这就要求SiNx区域比不刻蚀的SiO2区域略大)。以上完成后,再使用该设备刻蚀(释放),一般释放之后,后续流程不会设计匀胶工艺。
发表于 2014-4-25 10:13:10 | 显示全部楼层
什么时候能用上呢?
发表于 2014-11-25 09:16:53 | 显示全部楼层
有没有做过单步试验,刻蚀的角度大概能达到多大?如果有刻蚀的图片最好拉!求看!
发表于 2014-11-25 11:48:30 | 显示全部楼层
007 发表于 2014-11-25 09:16
有没有做过单步试验,刻蚀的角度大概能达到多大?如果有刻蚀的图片最好拉!求看!

用来进行SiO2牺牲层腐蚀的,属于各向同性腐蚀。
发表于 2014-12-16 10:09:47 | 显示全部楼层
很激动啊。可以用了?
发表于 2014-12-16 11:18:01 | 显示全部楼层
班长 发表于 2014-12-16 10:09
很激动啊。可以用了?

好像还没正式投入使用吧!
发表于 2016-8-5 09:19:12 | 显示全部楼层
可以用了 ,需要用的请103联系
发表于 2016-8-26 11:02:00 | 显示全部楼层
andylau 发表于 2016-8-5 09:19
可以用了 ,需要用的请103联系

你好!请问我要刻蚀部分二氧化硅,其他部分的二氧化硅要保护起来,该怎么把它保护起来呢?之前有了解到可镀上一层氮化硅,但是氮化硅在沉积的过程中整个片子上就都沉积上了,再进行氟化氢刻蚀的话不就都腐蚀不到了吗?请问怎么解决呢?谢谢哈!
发表于 2016-8-26 15:05:01 | 显示全部楼层
xiaochuner 发表于 2016-8-26 11:02
你好!请问我要刻蚀部分二氧化硅,其他部分的二氧化硅要保护起来,该怎么把它保护起来呢?之前有了解到可 ...

应该是把需要刻蚀SiO2的区域表面的SiNx先刻蚀掉。
[发帖际遇]: SUPER無間道 发帖时在路边捡到 2 微纳币,偷偷放进了口袋. 幸运榜 / 衰神榜
发表于 2016-8-26 16:23:30 | 显示全部楼层
SUPER無間道 发表于 2016-8-26 15:05
应该是把需要刻蚀SiO2的区域表面的SiNx先刻蚀掉。

请问有没有什么方法在我们进行HF刻蚀之后不再进行甩胶之类的操作?因为担心再甩胶的话会把我们的结构给破坏掉。谢谢您!
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