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查看: 1036|回复: 8

关于SiNx沉积的问题

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发表于 2014-2-25 09:13:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
您好!我想请问一下贵平台关于PECVD和ICPCVD沉积的SiNx薄膜沉积的几个问题:
1. 这两种方法制作的SiNx薄膜耐腐蚀性怎样?能否用作KOH腐蚀的掩膜?
2. 是否能控制其应力?比如我想生长100MP的SiNx薄膜,是否能实现?
3. 若样品表面有金属电路,例如铂金属,用哪种工艺进行SiNx沉积比较合适?
以上是目前我面临的问题,非常期待贵平台给予解答,谢谢!
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发表于 2014-2-26 09:27:52 | 显示全部楼层
您好 关于您所提出的问题答复如下
1 这两种膜的耐腐蚀性 ICP>PECVD, 20nm/m 与40nm/M (5:1BOE 一分钟腐蚀速率对比),KOH未对比过。做掩蔽膜推荐最好使用LPCVD生长的SIN
2 应力控制目前在200MPA左右,应力大小也与您的材料有一定相关。
3 带PT的若要生长SIN,以上两种方法都可以。相比之下 ICP温度低一些(75度),推荐使用该种。
谢谢您的提问 如还有疑问可以再留言或者 邮件 tyu2012@sinano.ac.cn
[发帖际遇]: 莲动下渔舟 乐于助人,奖励 4 微纳币. 幸运榜 / 衰神榜
发表于 2014-3-3 17:28:16 | 显示全部楼层
莲版这也略懂啊
发表于 2014-3-5 10:09:04 | 显示全部楼层
那顺便问一下,这两种设备主要区别在哪里呢?
发表于 2014-3-7 10:25:25 | 显示全部楼层
孤独的狼 发表于 2014-3-5 10:09
那顺便问一下,这两种设备主要区别在哪里呢?

原理上有些区别,一个用的电感耦合线圈产生等离子体,一个用的是平行板电容
发表于 2014-4-2 15:27:10 | 显示全部楼层
欢迎大家多提问题,问题越具体越好。大家多沟通、交流。
发表于 2014-4-10 16:20:28 | 显示全部楼层

学习一下,好东西{:soso_e179:}
发表于 2014-4-11 09:17:57 | 显示全部楼层
希望贵平台的LPCVD应力能够再小点

点评

你现在测得的应力是多少?  详情 回复 发表于 2014-4-22 12:27
[发帖际遇]: 亮哥哥 乐于助人,奖励 2 微纳币. 幸运榜 / 衰神榜
发表于 2014-4-22 12:27:20 | 显示全部楼层
亮哥哥 发表于 2014-4-11 09:17
希望贵平台的LPCVD应力能够再小点

你现在测得的应力是多少?
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