设为首页收藏本站

微纳加工之家

 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

快捷导航
光刻
光刻
刻蚀
刻蚀
薄膜
薄膜
封装
封装
查看: 5255|回复: 10

[设备介绍] PECVD & ICPCVD

[复制链接]
发表于 2014-1-27 23:13:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 greedisgood 于 2014-1-29 09:28 编辑

PECVD(SYSTEM 100)
20100910080502PECVD.jpg

编号: SYSTEM 100 (SN200904073)                 
工艺类别: 镀膜                 
所属单位: 加工平台                 
管理员:  张学敏
状态:  正常                 
价格: 400/30分钟                 
单位预约时间:30(单位:分钟)                 
用途                 
主要用于SiO2、SiNx、a-Si等介质膜的生长,一次可放置两寸片5片,四寸片和六寸片1片,薄膜不均匀性≤±3%。
预约友情提示: 低温工艺,请预约每天早上的第一炉工艺;掺杂(包括PH3、GeH4、B2H6、H2)、a-Si每天下午15:00以后可以预约。
此类工艺请至少提前一天预约,以便设备做好相应准备。
若有疑问,请致电62872627或者在预约备注中注明详细要求,否则后果需客户自己担。         

主要技术指标                 
SiH4流量0-50sccm,N20流量0-2000sccm,NH3流量0-500sccm, 温度范围80-350度,RF功率范围
0-300W
                                                         


ICPCVD
  
20130617113518ICPCVD.jpg


编号: ICPCVD 380 (SN201209069)      
工艺类别: 镀膜      
所属单位: 苏州纳米所     
管理员: 张学敏     
状态: 正常     
价格: 450/30分钟      
单位预约时间: 30(单位:分钟)      
用途                 
利用感应耦合在较低温度下形成等离子体进行化学气相沉积薄膜生长。
其主要特点是:离子能量和离子电流密度分别控制
典型的工艺压强:1-10 毫托
等离子体密度:大约5×1011/cm2,等离子体和衬底相接触,沉积过程中离子电流的能量低,离子电流(等离子体密度)取决于ICP的功率,
ESS(静电屏蔽)功能做到真正的感应耦合,ICP是完全自动匹配(2个射频自动匹配单元)。
典型应用有:面向剥离技术的低温沉积,低温沉积超高质量二氧化硅、氮化硅和碳化硅,低温沉积多晶硅。
备注:样品表面有电镀金属的情况下,严禁预约使用。
主要技术指标                   
装片:5片两英寸衬底 真空度:<50mTorr ICP功率:<3000W RF功率:<300W 加热器加热温度:<400℃。 循环水冷却装置温度:-30~80℃
目前可淀积材料包括:SiO2,SiNx,SiC。

PECVD 2 / RIE 3
2013061711190880 .jpg
编号: Oxford 80+
工艺类别: 镀膜
所属单位: 苏州纳米所
管理员: 周韦娟
状态: 正常
价格: 250/30分钟
单位预约时间: 30(单位:分钟)
用途
该设备是专门为大学及研究机构设计的小型化产品,被广泛的应用于各种产品的研发以及小批量生产。
它配置了直接开启式工艺平台,可以根据客户需要分别进行RIE(反应离子刻蚀)或PECVD(等离子增强型化学气相沉积)模式,应用灵活。
主要技术指标
PECVD: 装片:最大240mm衬底,最佳为100mm衬底 真空度范围:<100-2000mTorr RF功率:10-300W 衬底温度:100-380℃。
目前可淀积材料包括:SiO2,SiNx。
RIE: 装片:最大240mm衬底,最佳为100mm衬底 真空度范围:<100-2000mTorr RF功率:10-300W
目前可刻蚀材料包括:SiO2,SiNx。


点评

海!外直播 t.cn/RxmJTrC 禁闻视频 t.cn/RxkPOKC 倒的高官越来越多,一薄一厚难以满足大家胃口,都在翘首以盼下一只“大老虎”,大清只有一个和珅,而今遍地是和珅,个中何故?看这个就知道了..  发表于 2018-11-3 17:59
[发帖际遇]: 一个袋子砸在了 greedisgood 头上,greedisgood 赚了 3 微纳币. 幸运榜 / 衰神榜
回复

使用道具 举报

发表于 2014-3-26 18:40:48 | 显示全部楼层
我们使用PECVD(SYSTEM 100)开发过B掺杂的α-Si,并在此基础上开发出了可成像的探测器原型,后又开发过B和Ge同时掺杂的α-Si,性能大幅提高。
可见该设备还是蛮不错的。
发表于 2015-6-2 05:53:27 | 显示全部楼层
SUPER無間道 发表于 2014-3-26 18:40
我们使用PECVD(SYSTEM 100)开发过B掺杂的α-Si,并在此基础上开发出了可成像的探测器原型,后又开发过B和G ...

Ge的作用是。。。?
发表于 2015-6-2 05:55:15 | 显示全部楼层
SUPER無間道 发表于 2014-3-26 18:40
我们使用PECVD(SYSTEM 100)开发过B掺杂的α-Si,并在此基础上开发出了可成像的探测器原型,后又开发过B和G ...

我一直很好奇,比如说氮化硅,如果SiNH的比例不是标准的氮化硅,原子之间还是靠化学键连接吗?

发表于 2015-6-2 17:48:38 | 显示全部楼层
SUPER無間道 发表于 2014-3-26 18:40
我们使用PECVD(SYSTEM 100)开发过B掺杂的α-Si,并在此基础上开发出了可成像的探测器原型,后又开发过B和G ...

原理跟BPSG差不多吧,都比较成熟的技术了
发表于 2015-6-2 17:49:46 | 显示全部楼层
班长 发表于 2015-6-2 05:55
我一直很好奇,比如说氮化硅,如果SiNH的比例不是标准的氮化硅,原子之间还是靠化学键连接吗?

都是非晶态的,不是严格的化学计量比
发表于 2015-6-4 16:38:20 | 显示全部楼层
sinnip 发表于 2015-6-2 17:48
原理跟BPSG差不多吧,都比较成熟的技术了

谢指教。
发表于 2015-6-15 15:02:57 | 显示全部楼层
镀SiO2可以镀到5nm吗?还连续吗
发表于 2015-8-20 22:00:47 | 显示全部楼层
请问 PECVD 低温(200℃)生长过程中,温度会上升吧???  为什么每天只能长一炉200摄氏度,可不可以认为做完第一炉以后温度没法降下来了....谢谢
发表于 2015-8-21 08:49:07 | 显示全部楼层
hujinghua 发表于 2015-8-20 22:00
请问 PECVD 低温(200℃)生长过程中,温度会上升吧???  为什么每天只能长一炉200摄氏度,可不可以认为 ...

跟房价一样,涨时容易跌时难啊
[发帖际遇]: 莲动下渔舟 捡了钱没交公 微纳币 降了 2 . 幸运榜 / 衰神榜
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

   
关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

小黑屋|手机版|微纳加工论坛    

GMT+8, 2020-12-4 13:04 , Processed in 0.119788 second(s), 31 queries .

Powered by Discuz! X3.1 Licensed

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表