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[设备介绍] 离子注入机

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发表于 2014-1-29 09:57:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 greedisgood 于 2014-1-29 09:59 编辑

离子注入机
20140120050420Blue hills.jpg                
编号: NV-GSD-HE (SN201205101)                 
工艺类别:镀膜                 
所属单位: 加工平台
管理员:邢政                 
状态:正常                 
价格:800/30分钟                 
单位预约时间: 30(单位:分钟)                 
用途                 
离子注入机是半导体器件掺杂工艺的关键设备,注入过程中可对剂量、能量、角度进行精确控制,从而改变半导体的载流子浓度与导电类型                 
主要技术指标                 
注入能量:10keV~1MeV(单价离子);
注入剂量:1E11~1E17 ions/cm2;
角度:±11°; 样品:6英寸(向下兼容),17片;
目前可进行硼、磷、氟、铝、氮、氩等离子注入.

点评

海!外直播 t.cn/RxBC0cw 禁闻视频 t.cn/Rxl1r5S 正常国家的新闻特点是:“因为没发生,所以不报导。”中国的新闻特点是:“因为不报导,所以没发生。” 看看真实的  发表于 2018-10-30 01:32
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发表于 2014-3-26 07:15:33 | 显示全部楼层
{:soso_e179:}
发表于 2014-4-2 15:34:01 | 显示全部楼层
最好能把已经有的工艺介绍一下,便于大家了解。
发表于 2014-4-16 21:02:55 | 显示全部楼层
发表于 2015-4-2 15:19:38 | 显示全部楼层
莲动下渔舟 发表于 2014-4-16 21:02
详细介绍 见 http://www.snff.cn/forum.php?mod ... =287&extra=page%3D1

老师,请问,改离子注入机可以进行掺饵工艺吗
发表于 2015-4-2 17:47:13 | 显示全部楼层
笑书神侠 发表于 2015-4-2 15:19
老师,请问,改离子注入机可以进行掺饵工艺吗

不行,量大可以为您开发此工艺
发表于 2015-4-2 21:49:01 | 显示全部楼层
莲动下渔舟 发表于 2015-4-2 17:47
不行,量大可以为您开发此工艺

平台暂时没有掺铒、掺镱设备及工艺?
发表于 2015-6-4 16:30:28 | 显示全部楼层
请教,在4inch的SOI顶层硅中扩散至高掺杂硅(p掺杂,硼)至1e19 是否有可能?
氧化层厚度为2微米。顶层厚度大概300nm左右
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