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[设备介绍] 反应离子刻蚀 RIE1(Tegal 903e)

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发表于 2014-2-7 09:56:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 greedisgood 于 2014-2-7 10:14 编辑

RIE1(Tegal 903e)
20100911093955nopic.gif                
编号:RIE (SN201209066)                 
工艺类别:刻蚀                 
所属单位:加工平台                 
状态:正常                 
价格:250/30分钟                 
单位预约时间: 30(单位:分钟)                 
用途                 
适用于150mm及以下单片晶片上SiO2/SiNx的刻蚀。刻蚀均匀性<±5%                 
主要技术指标                 
温度:25度,侧壁垂直度:85度。
关键尺寸偏差<0.1um,
工艺气体:He,SF6,CHF3,O2,
功率:0-600W

点评

海!外直播 t.cn/RxmJTrS 禁闻视频 t.cn/RJAQKc4 警察不是用来解决人民提出的问题的,警察是用来解决提出问题的人民的。警匪还有区别吗?当然有区别,匪没有人给发工资的。  发表于 2018-10-30 01:39
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发表于 2014-3-26 18:55:14 | 显示全部楼层
刻蚀SiO2、SiNx、Si都可以,带胶刻蚀时,极限深度大约7μm
[发帖际遇]: SUPER無間道 乐于助人,奖励 3 微纳币. 幸运榜 / 衰神榜
发表于 2015-6-4 16:41:58 | 显示全部楼层
SUPER無間道 发表于 2014-3-26 18:55
刻蚀SiO2、SiNx、Si都可以,带胶刻蚀时,极限深度大约7μm

“极限深度”以此形象生动。。。
发表于 2015-10-27 17:01:56 | 显示全部楼层
    能够刻出侧壁倾斜的二氧化硅 吗 ?
[发帖际遇]: wujianjia 乐于助人,奖励 1 微纳币. 幸运榜 / 衰神榜
发表于 2015-10-27 17:02:02 | 显示全部楼层
    能够刻出侧壁倾斜的二氧化硅 吗 ?
发表于 2017-2-21 00:02:51 | 显示全部楼层
请问刻蚀硅的速率大概是多少?
发表于 2017-8-24 21:38:25 | 显示全部楼层
有点像 tegal 901e?

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