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[设备介绍] ICP 180

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发表于 2014-2-7 10:05:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 greedisgood 于 2014-2-26 09:38 编辑

ICP 180
20130617110414icp 180.jpg                
编号:ICP 180 (SN200909045)                 
工艺类别:刻蚀                 
所属单位:苏州纳米所                 
      
状态:正常                 
价格: 350/30分钟
单位预约时间:30(单位:分钟)                 
用途                 
通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电使其分解,产生的具有强化学活性的等离子体在电场加速作用下移动到样品表面,对样品表面既惊险化学反应生成挥发气体,又有一定的物理刻蚀作用。
因为等离子体源与射频加速源分离,所以等离子体密度可以更高,加速能力也可以加强,以得到更高的刻蚀速率,更好的各向异性刻蚀。
该系统使用了CL基与Br基的刻蚀气体,因此适合于对III-V族化合物材料进行刻蚀。                 
主要技术指标                 
ICP 离子源:0-3000W; RF  射频源:0-600W;
样品尺寸:四英寸向下兼容;
基底刻蚀温度:0-200℃可调;
可刻蚀材料包括:GaN,GaAs,InP,蓝宝石等

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发表于 2014-3-26 18:53:12 | 显示全部楼层
我们用该设备刻蚀过PI,侧壁陡直,基本无侧向刻蚀。
发表于 2014-4-25 10:12:17 | 显示全部楼层
已经不让刻蚀PI了哦,亲
发表于 2017-3-21 16:22:29 | 显示全部楼层
咨询一下,我想用ICP刻蚀得到侧壁陡直、边缘整齐的结构,用SiO2还是Si片好?如果是硅片,应该选择什么晶向和掺杂的?
发表于 2017-3-21 16:47:08 | 显示全部楼层
icp180 只刻三五的,你刻硅用深硅吧 刻蚀多少深度 88-89度角还是可以保证的
常规100的片子,掺杂类型没考察过,只要不是特别重掺 速率不影响的

发表于 2017-7-8 17:25:32 | 显示全部楼层
ICP刻蚀teflon对上、下极板的功率有什么要求?我现在用ICP刻蚀,发现光刻胶和teflon都被刻蚀完了。
发表于 2019-8-14 15:58:15 | 显示全部楼层
在使用ICP刻蚀InP时,侧壁角度大概在70度,调整了RF 功率和压强但是角度没有变化,需要怎么调整呢?平台是否有刻蚀InP垂直侧壁的案例?
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