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GaN基核探测器取得新进展

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发表于 2014-2-24 14:33:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
GaN材料作为第三代半导体的杰出代表,已经被广泛使用于光电领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN材料具有很好的抗辐射性和很高的化学稳定性,人们开始关注其在核探测领域的应用。Fe掺杂GaN基材料,因其高阻特性可以大大降低探测器的漏电流,因此在X射线探测和成像领域应用前景非常光明。
         苏州纳米所纳米加工平台陆敏副研究员及其团队使用纳米所维纳公司提供的Fe 掺杂自支撑GaN单晶片,经过不断的器件模拟设计研究和探测器微加工工艺探索,终于成功研制出Fe 掺杂自支撑GaN基X射线探测器原型器件。该探测器采用垂直结构、上下电极, 在无遮光环境下,偏压为200V时,X射线开启后的光电流迅速上升,与暗电流之比高达180,实现了对六角钢制螺母的X射线扫描清晰成像。该研究工作已被著名物理类杂志《Physica Status Solidi: Rapid Research Letters》接受发表(Phys. Status Solidi RRL 5, No. 5–6, 187–189 (2011) / DOI 10.1002/pssr.201105163),审稿人认为此研究很有意义,同时开拓了Fe掺杂GaN基材料在核辐射探测领域的潜在应用。据了解,基于自支撑的GaN基X射线探测器的实验报道在国际上尚属首次。
         本研究工作得到苏州纳维科技有限公司,微纳加工平台,测试分析平台以及国家科学自然科学基金、江苏省自然科学基金、苏州市工业应用基础研究的大力支持。


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发表于 2014-3-3 17:49:48 | 显示全部楼层
很不错的科研进展
发表于 2014-3-5 10:48:51 | 显示全部楼层
GAN材料的前景挺广阔啊
发表于 2014-3-7 10:59:18 | 显示全部楼层
学习一下,GaN是用什么方法长的?
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