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高阻GaN的MOCVD外延生长

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发表于 2014-2-27 14:49:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
      利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,载气由H2换为N2都会得到高阻的GaN缓冲层。样品的方块电阻Rs最高为2.49×10E11Ω/□。以高阻GaN样品为衬底制备了AlGaN/AlN/GaN结构HEMT器件,迁移率最高达1230 cm2/(V·s)。
From 邓旭光, et al. (2013). "高阻GaN的MOCVD外延生长." 发光学报(03): 351-355.
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发表于 2014-3-3 17:44:27 | 显示全部楼层
有文章的全文连接吗?
发表于 2014-3-5 10:35:24 | 显示全部楼层
做MO有前途啊
发表于 2014-4-16 09:03:20 | 显示全部楼层
http://www.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?QueryID=2&CurRec=1&recid=&filename=FGXB201303023&dbname=CJFDLAST2013&dbcode=CJFQ&pr=&urlid=&yx=&v=MTEwMjNVUkw2ZlkrZHBGaURrVXIvS0l5clRiTEc0SDlMTXJJOUhaNFI4ZVgxTHV4WVM3RGgxVDNxVHJXTTFGckM=
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