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预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响

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发表于 2014-2-27 14:51:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
      本文主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面形貌的影响。实验结果表明,AlN缓冲层生长前预通三甲基铝(TMAl)的时间、AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的应变状态、外延层的晶体质量以及表面形貌都有显著影响。得到最优的预辅Al时间为10s,AlN缓冲层的厚度为40nm。在此条件下外延生长的GaN样品(厚度约为1μm)表面形貌较好,X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)(0002)面和(10-12)面分别为452″和722″。
From 廉瑞凯, et al. (2013). "预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响." 中国激光(01): 164-168.
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发表于 2014-3-3 17:45:28 | 显示全部楼层
楼主能够搞个附件下载一下,省的去找了
发表于 2014-3-5 10:33:35 | 显示全部楼层
楼主可以发一篇到我邮箱吗
发表于 2014-4-3 16:09:57 | 显示全部楼层
最好把资源作为附件贴上,这样大家就用着方便了!
发表于 2014-4-3 16:10:01 | 显示全部楼层
最好把资源作为附件贴上,这样大家就用着方便了!
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