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高压LDMOS功耗的分析与设计

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发表于 2014-3-4 11:28:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 莲动下渔舟 于 2014-3-14 09:19 编辑

引言
对于功率器件,功耗的大小以及功耗的分布情况对器件性能有着重要的影响。功耗增大使得器件发热量增加,温度上升,导致器件的可靠性变差 [1]。在高压集成电路中,横向功率器件LDMOS应用非常广泛,它具有良好的短沟道特性,通过RESURF技术可以得到很高的击穿电压,而且它具有负的迁移率温度系数,负反馈使过大的局部电流不会形成像双极型器件那样的二次击穿,安全工作区宽,热稳定性好,容易与CMOS电路集成[2]。但是LDMOS 结构复杂,进行电路设计时没有现成的SPICE模型可以使用 [3]。在高压集成电路设计中, LDMOS的功耗比较大,散热也比较困难,如果不考虑温度效应,设计出的电路将无法正常工作。由于LDMOS一般工作在饱和区,其电流基本保持不变,所以 LDMOS的功耗主要取决于电阻的大小。本文利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS的功耗进行了分析,采用分段模型计算了高压LDMOS各部分电阻值以及总电阻值 [4-5],并讨论了电阻值随外加偏压以及器件结构参数变化的情况。

高压LDMOS功耗的分析与设计.rar

248.63 KB, 阅读权限: 10, 下载次数: 15

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发表于 2014-3-5 10:40:52 | 显示全部楼层
没权限,看不到附件啊,努力升级,呵呵
发表于 2014-3-7 10:53:52 | 显示全部楼层
楼主麻烦发一份到我邮箱iuwy53@sina.com ,谢谢,权限不够看不了附件
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