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氧化炉

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发表于 2014-1-28 13:55:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 笑蚊子 于 2014-1-28 14:02 编辑

2013041809301645476c87gw1e3axhdd4vtj.jpg
编号: HDC8000A  
工艺类别: 镀膜  
所属单位: 加工平台  
管理员: 姬荣坤  
状态: 正常  
价格: 300/60分钟  
单位预约时间: 60(单位:分钟)  
用途  
氧化炉由氧化炉管和退火炉管两个炉管组成,上炉管是氧化炉管,主要用于干氧氧化和湿氧氧化(氢氧合成),配置氧气、氮气和氢气三路气体,下炉管是退火炉管,主要用于金属合金化,最高温度可达600度,配置氮气和氢气两路气体。热氧化法是在高温下(900℃-1200℃)使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜,对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。  
主要技术指标  
温度控制显示精度全量程0.1°C;三点控温是SPIKE测量点都使用双热电偶,在一只热电偶断路时另一只能继续完成工艺;程序控制单元,气体/压力控制精度±0.5%;样品尺寸及片数,一次最多可以装载50片6英寸、50片四英寸基片或50片两英寸基片; 5上炉管氧化合成最高温度1150度,可以进行干氧氧化和氢氧合成湿氧氧化,通氮气作为 保护气体。下炉管退火温度最高可达600度,可以通氮气作为保护气体。氧化工艺必须提前一天预约。

点评

海!外直播 t.cn/RxmJTRo 禁闻视频 t.cn/RJ7gaCv 如果没有防火墙,魏则西只需要在谷歌、维基百科搜索一下,就会知道什么是生物免疫疗法,至少他不会受骗而耽误治疗。从这点上说,GFW的确是杀人的同谋..  发表于 2018-10-27 10:45

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发表于 2014-4-2 15:29:25 | 显示全部楼层
最好把已经做过的一些有亮点的工艺给大家说说(比如超薄氧化,氧化层厚度控制精度等),这样会更好。
发表于 2014-4-14 16:36:58 | 显示全部楼层
平台现有常压氧化炉三个,分别分布在加工平台1楼超净间101室、103室,可同时氧化加工6英寸晶圆片近300片,加工尺寸向下兼容。
现有常用氧化工艺:干氧、湿氧(氢氧合成)、干氧/湿氧/干氧三种。
1、干氧工艺温度1000℃、1100℃,
工艺厚度记录分布在50~300nm,片间均匀性±0.21%;
2、湿氧工艺温度1100℃、1150摄氏度,
为了安全考虑,正常情况下湿氧工艺结合干氧工艺使用,也就是干湿干氧化工艺;
3、干湿干氧化工艺温度1100℃、1150摄氏度,
工艺厚度记录分布在300nm~3um,片间均匀性±0.45;
对于超薄氧化层,主要是采用900℃低温短时间小氧干氧氧化工艺,或者是利用快速退火炉快速氧化工艺。超薄氧化层厚度记录分布在7~50nm。目前仅做少量实验,片间均匀性有待统计;
5、对于一些超厚氧化层氧化工艺,目前主要还是利用常压高温氧化炉做长时间湿氧氧化工艺,具体工艺参数可以根据软件模拟制定。
现在氧化的半导体材料,主要是Si片和少量SiC片。




发表于 2014-4-25 09:14:00 | 显示全部楼层
如果氧化也是种错误的话,我愿意一错再错。
发表于 2014-4-25 10:15:45 | 显示全部楼层
nano 发表于 2014-4-25 09:14
如果氧化也是种错误的话,我愿意一错再错。

不学好!!
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